ON Semiconductor FQP6N80

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

158W Tc

Turn Off Delay Time

65 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2000

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

1.95Ohm

电压 - 额定直流

800V

额定电流

5.8A

元素配置

Single

功率耗散

158W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.95 Ω @ 2.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

上升时间

70ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

45 ns

连续放电电流(ID)

5.8A

阈值电压

5V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

800V

双电源电压

800V

栅源电压

5 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅