ON Semiconductor FQP7N80C

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

167W Tc

Turn Off Delay Time

50 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2003

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.5Ohm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

800V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

6.6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

167W

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.9 Ω @ 3.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1680pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 10V

上升时间

100ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

6.6A

阈值电压

5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

800V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

26.4A

双电源电压

800V

雪崩能量等级（Eas）

580 mJ

栅源电压

5 V

高度

9.4mm

长度

10.1mm

宽度

4.7mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅