ON Semiconductor FQP9N30

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

9 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

98W Tc

Turn Off Delay Time

27 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

300V

额定电流

9A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

98W

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

450m Ω @ 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

750pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 10V

上升时间

120ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

48 ns

连续放电电流(ID)

9A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏极-源极导通最大电阻

0.45Ohm

漏源击穿电压

300V

雪崩能量等级（Eas）

420 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅