ON Semiconductor FQPF10N60C

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Turn Off Delay Time

144 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

快速切换

电压 - 额定直流

600V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

9.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

电压

600V

元素配置

Single

电流

95A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

23 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

730m Ω @ 4.75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2040pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

57nC @ 10V

上升时间

69ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

77 ns

连续放电电流(ID)

9.5A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

雪崩能量等级（Eas）

700 mJ

高度

9.19mm

长度

10.16mm

宽度

4.7mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅