ON Semiconductor FQPF13N50C_F105

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

安装类型

通孔

底架

通孔

质量

2.27g

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Power Dissipation (Max)

48W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Tc

系列

QFET®

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

480m Ω @ 6.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2055pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

56nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±30V

JEDEC-95代码

TO-220AB

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52A

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

860 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准