ON Semiconductor FQPF18N20V2

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

40W Tc

Turn Off Delay Time

38 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2002

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

200V

额定电流

18A

元素配置

Single

功率耗散

40W

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

140m Ω @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1080pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

26nC @ 10V

上升时间

133ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

62 ns

连续放电电流(ID)

18A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

200V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅