ON Semiconductor FQPF19N10L

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

供应商器件包装

TO-220F

Power Dissipation (Max)

38W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13.6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2000

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

100mOhm @ 6.8A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

870pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V