ON Semiconductor FQPF1N60

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

900mA Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

21W Tc

Turn Off Delay Time

7 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

600V

额定电流

1.2A

元素配置

Single

功率耗散

21W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.5 Ω @ 450mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

150pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 10V

上升时间

25ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

900mA

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅