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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.06771
10
¥11.384632
100
¥10.740218
500
¥10.132283
1000
¥9.558754
ON Semiconductor FQPF2N80YDTU
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- 对比
FQPF2N80YDTU
1807-FQPF2N80YDTU
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
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MOSFET N-CH 800V TO-220-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FQPF2N80YDTU详情
ON Semiconductor FQPF2N80YDTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
引脚数
3
质量
2.565g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
35W Tc
Turn Off Delay Time
25 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
QFET®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.3 Ω @ 750mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
550pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 10V
上升时间
30ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
28 ns
连续放电电流(ID)
1.5A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
800V
高度
16.07mm
长度
10.36mm
宽度
4.9mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FQPF2N80YDTU拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
ON Semiconductor
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