ON Semiconductor FQPF3N80CYDTU

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

2.565g

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Turn Off Delay Time

22.5 ns

Power Dissipation (Max)

39W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Tc

已出版

2007

系列

QFET®

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

800V

额定电流

3A

元素配置

Single

功率耗散

39W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.8 Ω @ 1.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

705pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16.5nC @ 10V

上升时间

43.5ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

32 ns

连续放电电流(ID)

3A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

800V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅