ON Semiconductor FQPF47P06

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

9 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

质量

2.27g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

62W Tc

Turn Off Delay Time

100 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2001

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-60V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-30A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

62W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

50 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

26m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 10V

上升时间

450ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

195 ns

连续放电电流(ID)

30A

阈值电压

-4V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.026Ohm

漏源击穿电压

-60V

雪崩能量等级（Eas）

820 mJ

高度

9.19mm

长度

10.16mm

宽度

4.7mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅