ON Semiconductor FQPF7N65CYDTU-T

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

供应商器件包装

TO-220F-3 (Y-Forming)

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A (Tj)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

52W (Tc)

Product Status

最后一次购买

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

QFET®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4Ohm @ 3.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1245 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

650 V

Vgs（最大值）

±30V

场效应管特性

-