ON Semiconductor FQPF8N80CYDTU

工厂交货时间

4 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

2.565g

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

59W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

Turn Off Delay Time

65 ns

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

已出版

2013

系列

QFET®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.55Ohm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

800V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

8A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

59W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

40 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.55 Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2050pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45nC @ 10V

上升时间

110ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

70 ns

连续放电电流(ID)

8A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏源击穿电压

800V

雪崩能量等级（Eas）

850 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅