ON Semiconductor FQPF9N25

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

45W Tc

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

250V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

6.7A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

45W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

420m Ω @ 3.35A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

105ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

45 ns

连续放电电流(ID)

6.7A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8.8A

漏极-源极导通最大电阻

0.43Ohm

漏源击穿电压

250V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

35.2A

雪崩能量等级（Eas）

285 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅