ON Semiconductor FQPF9N90CT

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

2.27g

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Turn Off Delay Time

100 ns

Power Dissipation (Max)

68W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

已出版

2013

系列

QFET®

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.4Ohm

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

68W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

50 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4 Ω @ 4A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2730pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

58nC @ 10V

上升时间

120ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

75 ns

连续放电电流(ID)

8A

阈值电压

3V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏源击穿电压

900V

雪崩能量等级（Eas）

900 mJ

栅源电压

3 V

宽度

4.9mm

长度

10.36mm

高度

16.07mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant

无铅

无铅