ON Semiconductor FQT5P10TF

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

24 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

3

质量

188mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Tc

Turn Off Delay Time

12 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.05Ohm

电压 - 额定直流

-100V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-1A

JESD-30代码

R-PDSO-G4

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.05 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

250pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.2nC @ 10V

上升时间

70ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

1mA

阈值电压

-4V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

漏源击穿电压

-100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

4A

雪崩能量等级（Eas）

55 mJ

高度

1.6mm

长度

6.5mm

宽度

3.56mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅