ON Semiconductor FQU20N06LTU

工厂交货时间

4 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

343.08mg

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 38W Tc

Turn Off Delay Time

35 ns

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17.2A Tc

系列

QFET®

已出版

2013

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

60MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

60V

额定电流

17.2A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

60m Ω @ 8.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

630pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 5V

上升时间

165ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

70 ns

连续放电电流(ID)

17.2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

68.8A

宽度

2.3mm

长度

6.6mm

高度

6.1mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅