ON Semiconductor H11A817B3SD
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H11A817B3SD
1807-H11A817B3SD
光隔离器 - 晶体管,光电输出
4-SMD, Gull Wing
大陆
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OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD
--最小包装量--
H11A817B3SD详情
ON Semiconductor H11A817B3SD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
包装/外壳
4-SMD, Gull Wing
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
供应商器件包装
4-SMD
Collector-Emitter Saturation Voltage
200mV
Current Transfer Ratio-Min
130% @ 5mA
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~100°C
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
100°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
200mW
电压-隔离度
5300Vrms
输出电压
70V
输出类型
Transistor
通道数量
1
电路数量
1
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.2V
输入类型
DC
每个通道的输出电流
50mA
上升时间
2.4μs
集电极发射器电压(VCEO)
70V
最大集电极电流
50mA
上升/下降时间(Typ)
2.4μs 2.4μs
最大输入电流
50mA
最大直流驱动电流(If)
50mA
电流传输比(最大)
260% @ 5mA
Vce 饱和度(最大值)
200mV
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
H11A817B3SD拓展信息








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