ON Semiconductor H11F2M
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H11F2M
1807-H11F2M
光隔离器 - 晶体管,光电输出
6-DIP (0.300, 7.62mm)
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OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
1最小包装量--
H11F2M详情
ON Semiconductor H11F2M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
6-DIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
6
质量
854.993268mg
操作温度
-40°C~100°C
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
300mW
电压-隔离度
7500Vpk
输出电压
30V
输出类型
MOSFET
通道数量
1
功率耗散
300mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.3V
输入类型
DC
光电子器件类型
fet输出光耦合器
正向电流
16mA
反向击穿电压
5V
最大输入电流
60mA
接通 / 关断时间(典型值)
45μs, 45μs (Max)
反向电压(直流电)
5V
RoHS状态
符合RoHS标准
H11F2M拓展信息








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