ON Semiconductor H11G3

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

Current Transfer Ratio-Min

200% @ 1mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~100°C

包装

Tube

已出版

2000

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

Reach合规守则

unknown

电压-隔离度

5300Vrms

输出类型

带底座的达林顿

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

通道数量

1

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.3V

输入类型

DC

光电子器件类型

达林顿输出光耦合器

正向电流-最大

0.06A

最大直流驱动电流（If）

60mA

接通 / 关断时间（典型值）

5μs, 100μs

Vce 饱和度（最大值）

1.2V

电流传输比

200%

集电极-发射器电压-最小值

55V