ON Semiconductor H11L2M

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

6

质量

855mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

16V

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~85°C

包装

Tube

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

250mW

电压 - 供电

3V~15V

电源电压

16V

审批机构

UL

电压-隔离度

4170Vrms

输出电压

16V

输出类型

开路集电极

最大输出电流

50mA

极性

Inverting

配置

SINGLE

功率耗散

250mW

输出电流

50mA

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.2V

传播延迟

4 μs

输入类型

DC

接通延迟时间

4 μs

光电子器件类型

逻辑IC输出光耦合器

正向电流

60mA

最大输出电压

16V

回应时间

0.000004 ns

数据率

1MHz

方向

单向

每个通道的输出电流

50mA

上升时间

100ns

下降时间（典型值）

100 ns

上升/下降时间(Typ)

100ns 100ns

反向击穿电压

6V

最大输入电流

10mA

最大直流驱动电流（If）

30mA

输入电流

10mA

通态电流最大值

0.05A

传播延迟（最大延迟差）

4μs, 4μs

输入侧1/侧2

1/0

反向电压(直流电)

6V

滞后比-Nom

0.75

高度

3.53mm

长度

8.89mm

宽度

6.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅