ON Semiconductor H11N2TVM

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.400, 10.16mm)

引脚数

6

质量

864mg

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~85°C

包装

Tube

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

250mW

电压 - 供电

4V~15V

电源电压

15V

电压-隔离度

4170Vrms

输出类型

开路集电极

最大输出电流

50mA

配置

SINGLE

通道数量

1

功率耗散

250mW

输出电流

50mA

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.4V

传播延迟

330 ns

输入类型

DC

接通延迟时间

330 ns

光电子器件类型

逻辑IC输出光耦合器

正向电流

30mA

回应时间

1.5e-7 ns

数据率

5MHz

方向

单向

每个通道的输出电流

50mA

上升时间

7.5ns

下降时间（典型值）

12 ns

上升/下降时间(Typ)

7.5ns 12ns

反向击穿电压

6V

通态电流最大值

0.05A

传播延迟（最大延迟差）

330ns, 330ns

输入侧1/侧2

1/0

滞后比-Nom

0.65

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅