ON Semiconductor HGT1S12N60C3DS9A

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

48 ns

Operating Temperature-Min

-40 °C

Turn-off Time-Nom (toff)

480 ns

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

HGT1S12N60C3DS9A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Turn-off Time-Max (toff)

675 ns

Risk Rank

5.64

附加功能

RC-IGBT

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大耗散功率(Abs)

104 W

集电极电流-最大值(IC)

24 A

集电极-发射器电压-最大值

600 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

VCEsat-最大值

2.2 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6 V

最大下降时间 (tf)

275 ns