HGTP12N60C3DR
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ON Semiconductor HGTP12N60C3DR

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型号

HGTP12N60C3DR

utmel 编号

1807-HGTP12N60C3DR

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

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HGTP12N60C3DR ON Semiconductor

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HGTP12N60C3DR详情

ON Semiconductor HGTP12N60C3DR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    零售包装

  • 厂商

    Glenair

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    48 ns

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    480 ns

  • Manufacturer Part Number

    HGTP12N60C3DR

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

  • Risk Rank

    5.13

  • 系列

    *

  • 附加功能

    低导通损耗

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    MOTOR CONTROL

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 集电极电流-最大值(IC)

    24 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor HGTP12N60C3DR.

HGTP12N60C3DR拓展信息

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