ON Semiconductor HN1B01FDW1T1

生命周期状态

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安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-74, SOT-457

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-150mV

Number of Elements

2

hFEMin

200

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

380mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

200mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

6

资历状况

不合格

极性

NPN, PNP

元素配置

Dual

功率耗散

380mW

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

NPN, PNP

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 6V

最大集极截止电流

2μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅