注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

ON Semiconductor HUF75339S3

Name: HUF75339S3
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-HUF75339S3
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

HUF75339S3

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-HUF75339S3

商品类别

无类别的

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

HUF75339S3 ON Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

HUF75339S3详情

技术参数

PDF文档

ON Semiconductor HUF75339S3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Style

IN-LINE
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number

HUF75339S3
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Rochester Electronics LLC
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank

5.3
Drain Current-Max (ID)

70 A
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PSIP-T3
资历状况

COMMERCIAL
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-262AA
漏极-源极导通最大电阻

0.012 Ω
DS 击穿电压-最小值

55 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor HUF75339S3.

数据表 :
pid_50770639_ba894fe866265bc46037db662a50b087.pdf

HUF75339S3拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z