ON Semiconductor HUF75639S3S

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

1.31247g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

56A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

200W Tc

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

UltraFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

100V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

56A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

200W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

25m Ω @ 56A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

130nC @ 20V

上升时间

60ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

56A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.025Ohm

漏源击穿电压

100V

高度

4.83mm

长度

10.67mm

宽度

9.65mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅