ON Semiconductor HUF75842P3
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HUF75842P3
1807-HUF75842P3
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET 43a 150V 0.042 Ohm Logic Level N-Ch
--最小包装量--
HUF75842P3详情
ON Semiconductor HUF75842P3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
43A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
230W Tc
Turn Off Delay Time
47 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
UltraFET™
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
150V
额定电流
43A
电压
150V
元素配置
Single
电流
43A
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
230W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
42m Ω @ 43A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2730pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
175nC @ 20V
上升时间
53ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
34 ns
连续放电电流(ID)
43A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.042Ohm
漏源击穿电压
150V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
HUF75842P3拓展信息
ON Semiconductor
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