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1

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10

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￥4.00217
1000

￥3.775635

ON Semiconductor HUF75925D3ST

Name: HUF75925D3ST
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-HUF75925D3ST
Price: 4.77 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

HUF75925D3ST

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-HUF75925D3ST

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 200V 11A DPAK

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HUF75925D3ST ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 11A DPAK

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HUF75925D3ST详情

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ON Semiconductor HUF75925D3ST重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数

3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Power Dissipation (Max)

100W Tc
Turn Off Delay Time

60 ns
操作温度

-55°C~175°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
系列

UltraFET™
已出版

2004
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
电压 - 额定直流

200V
额定电流

11A
元素配置

Single
功率耗散

100W
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

275m Ω @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1030pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

78nC @ 20V
上升时间

21ns
Vgs（最大值）

±20V
下降时间（典型值）

27 ns
连续放电电流(ID)

11A
栅极至源极电压(Vgs)

20V
漏源击穿电压

200V
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

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