ON Semiconductor HUF76113DK8T
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HUF76113DK8T
1807-HUF76113DK8T
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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DUAL N-CHANNEL, LOGIC LEVEL ULTRAFET POW
1最小包装量--
HUF76113DK8T详情
ON Semiconductor HUF76113DK8T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
面板安装
表面安装
YES
越来越多的功能
Flange
外壳材料
铝合金
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
600VAC, 850VDC
Package
Bulk
Primary Material
Metal
Base Product Number
KPSE
厂商
ITT Cannon, LLC
Product Status
活跃
Contact Finish Mating
Gold
Package Description
PLASTIC, SO-8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
HUF76113DK8T
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.17
Part Package Code
SOIC
Drain Current-Max (ID)
6 A
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
KPSE
无铅代码
有
终端
Crimp
连接器类型
Receptacle, Male Pins
定位的数量
41
端子表面处理
未说明
颜色
橄榄色
紧固类型
卡口锁
额定电流
7.5A
端子位置
DUAL
方向
N (Normal)
终端形式
鸥翼
屏蔽/屏蔽
Shielded
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
入口保护
抗环境干扰
Reach合规守则
unknown
外壳完成
橄榄色镉
引脚数量
8
外壳尺寸-插入
20-41
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
COMMERCIAL
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
外壳尺寸,MIL
-
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
MS-012AA
漏极-源极导通最大电阻
0.041 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
Shrink Boot Adapter
触点表面处理厚度 - 配套
50.0µin (1.27µm)
HUF76113DK8T拓展信息
ON Semiconductor
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