ON Semiconductor HUF76113T3ST

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Turn Off Delay Time

31 ns

Package Description

SOT-223, 4 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

HUF76113T3ST

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.31

Part Package Code

SOT-223

Drain Current-Max (ID)

4.7 A

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

电阻

31 mΩ

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.1 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

21 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

4.7 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.038 Ω

漏源击穿电压

30 V

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

31 mΩ