ON Semiconductor HUF76407D3ST
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HUF76407D3ST
1807-HUF76407D3ST
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3
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MOSFET 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch
--最小包装量--
HUF76407D3ST详情
ON Semiconductor HUF76407D3ST重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3
引脚数
3
质量
260.37mg
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
43 ns
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
92mOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
60V
最大功率耗散
38W
终端形式
鸥翼
额定电流
11A
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
38W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
5 ns
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
32ns
漏源电压 (Vdss)
60V
极性/通道类型
N-CHANNEL
下降时间(典型值)
45 ns
连续放电电流(ID)
12A
阈值电压
1V
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
60V
输入电容
350pF
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
77mOhm
最大rds
92 mΩ
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
HUF76407D3ST拓展信息
ON Semiconductor
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