对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 子类别 | 电压 - 额定直流 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 极性/通道类型 | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | JEDEC-95代码 | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 场效应管特性 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||
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HUFA75617D3 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 3 | SILICON | 未说明 | 175 °C | 有 | HUFA75617D3 | RECTANGULAR | Fairchild Semiconductor Corporation | 1 | Obsolete | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | 5.32 | 16 A | IN-LINE | PLASTIC/EPOXY | e3 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | FET 通用电源 | SINGLE | THROUGH-HOLE | 未说明 | R-PSIP-T3 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | TO-251AA | 16 A | 0.09 Ω | 100 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 64 W | not_compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HUFA75617D3S | Fairchild | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | Fairchild Semiconductor | 16A (Tc) | 10V | 64W (Tc) | Obsolete | Tube | 4V @ 250µA | -55°C ~ 175°C (TJ) | UltraFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel | 90mOhm @ 16A, 10V | 570 pF @ 25 V | 39 nC @ 20 V | 100 V | ±20V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75617D3S | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 44 ns | 16A Tc | 10V | 1 | 64W Tc | 4V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tube | 2002 | UltraFET™ | Obsolete | 1 (Unlimited) | 100V | 16A | Single | 64W | N-Channel | 90m Ω @ 16A, 10V | 570pF @ 25V | 39nC @ 20V | 35ns | ±20V | 28 ns | 16A | 20V | 100V | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75617D3S | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | YES | SILICON | 16A Tc | 10V | 1 | 64W Tc | 4V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tube | UltraFET™ | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | 哑光锡 | SINGLE | 鸥翼 | NOT APPLICABLE | NOT APPLICABLE | R-PSSO-G2 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 90m Ω @ 16A, 10V | 570pF @ 25V | 39nC @ 20V | 100V | ±20V | TO-252AA | 16A | 0.09Ohm | 100V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HUFA75617D3ST | Fairchild Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75617D3ST | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252AA | 64W Tc | 16A Tc | 10V | 4V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2002 | UltraFET™ | Obsolete | 1 (Unlimited) | N-Channel | 90mOhm @ 16A, 10V | 570pF @ 25V | 39nC @ 20V | 100V | ±20V |
HUFA75617D3
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
HUFA75617D3S
Fairchild
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
HUFA75617D3S
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
HUFA75617D3S
Rochester Electronics, LLC
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
HUFA75617D3ST
Fairchild Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
HUFA75617D3ST
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single


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