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'hufa75617d3'

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category.单MOSFET晶体管 (6)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	供应商器件包装	终端数量	晶体管元件材料							厂商														Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id	操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	子类别	电压 - 额定直流	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	额定电流	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	配置	元素配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	极性/通道类型	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	JEDEC-95代码	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	DS 击穿电压-最小值	场效应管技术	最大耗散功率(Abs)	场效应管特性	达到SVHC	RoHS状态	无铅
		HUFA75617D3	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		NO	3	SILICON	未说明	175 °C	有	HUFA75617D3		RECTANGULAR	Fairchild Semiconductor Corporation	1	Obsolete	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP	5.32	16 A					IN-LINE	PLASTIC/EPOXY						e3					EAR99	Matte Tin (Sn)	FET 通用电源			SINGLE	THROUGH-HOLE	未说明			R-PSIP-T3	不合格	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING							N-CHANNEL			TO-251AA		16 A	0.09 Ω		100 V	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	64 W		not_compliant
		HUFA75617D3S	Fairchild	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252, (D-Pak)	Fairchild Semiconductor	16A (Tc)	10V	64W (Tc)	Obsolete					Tube	4V @ 250µA	-55°C ~ 175°C (TJ)			UltraFET™										MOSFET (Metal Oxide)													N-Channel		90mOhm @ 16A, 10V	570 pF @ 25 V	39 nC @ 20 V		100 V	±20V												-
		HUFA75617D3S	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	44 ns	16A Tc	10V	1	64W Tc						4V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tube	2002	UltraFET™			Obsolete	1 (Unlimited)					100V					16A					Single		64W		N-Channel		90m Ω @ 16A, 10V	570pF @ 25V	39nC @ 20V	35ns		±20V		28 ns	16A		20V			100V						符合RoHS标准	无铅
		HUFA75617D3S	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	YES	SILICON					16A Tc	10V	1	64W Tc	4V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tube		UltraFET™	e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	2		哑光锡				SINGLE	鸥翼	NOT APPLICABLE		NOT APPLICABLE	R-PSSO-G2	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN	N-Channel	SWITCHING	90m Ω @ 16A, 10V	570pF @ 25V	39nC @ 20V		100V	±20V				TO-252AA		16A	0.09Ohm		100V					ROHS3 Compliant
		HUFA75617D3ST	Fairchild Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
		HUFA75617D3ST	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252AA					64W Tc	16A Tc	10V		4V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tape & Reel (TR)	2002	UltraFET™			Obsolete	1 (Unlimited)																			N-Channel		90mOhm @ 16A, 10V	570pF @ 25V	39nC @ 20V		100V	±20V