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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥14.832276
10
¥13.992709
100
¥13.200671
500
¥12.453465
1000
¥11.748549
ON Semiconductor HUFA75639S3ST-F085A
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HUFA75639S3ST-F085A
1807-HUFA75639S3ST-F085A
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
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MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
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HUFA75639S3ST-F085A详情
ON Semiconductor HUFA75639S3ST-F085A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
1.31247g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
56A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
200W Tc
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin (Sn)
元素配置
Single
功率耗散
200W
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
25m Ω @ 56A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
130nC @ 20V
上升时间
60ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
56A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
HUFA75639S3ST-F085A拓展信息
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