ON Semiconductor IMD10AMT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

表面安装

YES

引脚数

6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

2

hFEMin

68

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

285mW

终端形式

鸥翼

引脚数量

6

极性

NPN, PNP

元素配置

Dual

功率耗散

285mW

无卤素

无卤素

晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1mA 5V / 68 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 1mA, 10mA

电阻基(R1)

13k Ω, 130 Ω

连续集电极电流

500mA

电阻-发射极基极(R2)

10k Ω

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅