ON Semiconductor IRF820

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-220AB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

50W (Tc)

Product Status

Obsolete

Package Description

ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRF820

Turn-on Time-Max (ton)

137 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

STMicroelectronics

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

STMICROELECTRONICS

Turn-off Time-Max (toff)

245 ns

Risk Rank

7.48

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

4 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH VOLTAGE

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

360 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.5 A

漏极-源极导通最大电阻

3 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

210 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

50 W

场效应管特性

-

反馈上限-最大值 (Crss)

50 pF

环境耗散-最大值

75 W