ON Semiconductor IRFR13N20D

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

MSL

-

Package

塑料外壳

RoHS

有

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRFR13N20D

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

3.64

Part Package Code

TO-252AA

Drain Current-Max (ID)

13 A

操作温度

-40...+85°C

系列

TSRN

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

输出类型

single

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

注意

-

操作模式

增强型MOSFET

输出电流

1 A

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13 A

漏极-源极导通最大电阻

0.235 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

130 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

110 W

电源

15 W