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技术文档
型号
IRFS614B
品牌
ON Semiconductor
utmel 编号
1807-IRFS614B
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
250V N-Channel MOSFET
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IRFS614B详情
技术参数
PDF文档
ON Semiconductor IRFS614B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Package Description
TO-220F, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.35
Part Package Code
TO-220F
Drain Current-Max (ID)
2.8 A
JESD-609代码
e0
无铅代码
端子表面处理
锡铅
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
250 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
漏极-源极导通最大电阻
2 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
8.5 A
DS 击穿电压-最小值
雪崩能量等级(Eas)
45 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
达到SVHC
unknown
技术文档: ON Semiconductor IRFS614B.
IRFS614B拓展信息
公司资质
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