IRFS634A
IRFS634A

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

ON Semiconductor IRFS634A

  • 收藏
  • 对比

型号

IRFS634A

utmel 编号

1807-IRFS634A

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IRFS634A datasheet pdf and Unclassified product details from ON Semiconductor stock available at utmel

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
IRFS634A
IRFS634A ON Semiconductor

请发送询价,我们将立即回复。

库存:31518

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

IRFS634A详情

ON Semiconductor IRFS634A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    TO-220F, 3 PIN

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Manufacturer Part Number

    IRFS634A

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    三星半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Risk Rank

    5.71

  • Part Package Code

    TO-220F

  • Drain Current-Max (ID)

    5.8 A

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    5.8 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.45 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    23 A

  • DS 击穿电压-最小值

    250 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    210 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    38 W

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor IRFS634A.

IRFS634A拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS