ON Semiconductor IRFU110ATU

表面安装

NO

外壳材料

Metal/plastic

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

有

Shell Sizes

M8

Package Description

IPAK-3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

NOT APPLICABLE

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRFU110ATU

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.33

Part Package Code

TO-251

Drain Current-Max (ID)

4.7 A

系列

RKMV

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

性别

Female

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT APPLICABLE

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

注意

Coding A

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

定位/联系数

4

JEDEC-95代码

TO-251

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.7 A

漏极-源极导通最大电阻

0.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

19 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

59 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

20 W