ON Semiconductor IRFW630BTM-FP001

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.13W Ta 72W Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

哑光锡

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

400m Ω @ 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

720pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

36A

DS 击穿电压-最小值

200V

雪崩能量等级（Eas）

160 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant