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技术文档
型号
IRLS520A
品牌
ON Semiconductor
utmel 编号
1807-IRLS520A
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level
起订量
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IRLS520A详情
技术参数
PDF文档
ON Semiconductor IRLS520A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
Cable
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
有
Drain Current-Max (ID)
7.2 A
Part Package Code
TO-220F
Risk Rank
5.83
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Part Life Cycle Code
Obsolete
Number of Elements
1
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
Rohs Code
Operating Temperature-Max
175 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
系列
-
JESD-609代码
e3
终端
IDC
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
行数
2
子类别
FET 通用电源
螺距
2,54 mm
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
行间距
注意
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.22 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
32 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
103 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
30 W
特征
技术文档: ON Semiconductor IRLS520A.
IRLS520A拓展信息
公司资质
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