ISL9N312AD3_NL
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ON Semiconductor ISL9N312AD3_NL

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型号

ISL9N312AD3_NL

utmel 编号

1807-ISL9N312AD3_NL

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

44-LCC (J-Lead)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

50A, 30V, 0.012ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-251AA

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ISL9N312AD3_NL ON Semiconductor 50A, 30V, 0.012ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-251AA

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ISL9N312AD3_NL详情

ON Semiconductor ISL9N312AD3_NL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    44-LCC (J-Lead)

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    44-PLCC (16.59x16.59)

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of I/Os

    32

  • Package

    Tube

  • Base Product Number

    P87C51

  • 厂商

    NXP USA Inc.

  • Data Converters

    -

  • Product Status

    Obsolete

  • Package Description

    IPAK-3

  • Package Style

    IN-LINE

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    ISL9N312AD3_NL

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

  • Risk Rank

    5.11

  • Part Package Code

    TO-251AA

  • Drain Current-Max (ID)

    50 A

  • 操作温度

    0°C ~ 70°C (TA)

  • 系列

    87C

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSIP-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 振荡器类型

    Internal

  • 速度

    33MHz

  • 内存大小

    512 x 8

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)

    2.7V ~ 5.5V

  • 核心处理器

    8051

  • 周边设备

    POR, PWM, WDT

  • 程序存储器类型

    OTP

  • 芯尺寸

    8-Bit

  • 程序内存大小

    16KB (16K x 8)

  • 连接方式

    EBI/EMI, UART/USART

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-251AA

  • EEPROM 大小

    -

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.012 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: ON Semiconductor ISL9N312AD3_NL.

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