ON Semiconductor ISL9N318AD3ST

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

SiTime

Product Status

活跃

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

52 ns

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

ISL9N318AD3ST

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.19

Drain Current-Max (ID)

30 A

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

SiT8208

尺寸/尺寸

0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

类型

XO (Standard)

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

电压 - 供电

2.8V

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

频率

65 MHz

频率稳定性

±10ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

JESD-30代码

R-PSSO-G2

功能

Enable/Disable

基本谐振器

MEMS

最大电流源

33mA

资历状况

不合格

电流 - 电源（禁用）（最大值）

31mA

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

55 W

箱体转运

DRAIN

扩频带宽

-

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

29 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

30 A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9 A

漏极-源极导通最大电阻

0.018 Ω

漏源击穿电压

30 V

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

55 W

绝对牵引范围 (APR)

-

漏源电阻

18 mΩ

座位高度(最大)

0.031 (0.80mm)

评级结果

-