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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.968211
10
¥11.290763
100
¥10.651663
500
¥10.048735
1000
¥9.479943
ON Semiconductor ISL9N322AS3ST
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- 对比
ISL9N322AS3ST
1807-ISL9N322AS3ST
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
0603 (1608 Metric)
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MOSFET N-Ch MOSFET Logic Level
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¥
总价: ¥
ISL9N322AS3ST详情
ON Semiconductor ISL9N322AS3ST重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Surface Mount, MLCC
包装/外壳
0603 (1608 Metric)
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
厂商
American Technical Ceramics
Product Status
活跃
Voltage Rated
250V
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Manufacturer Part Number
ISL9N322AS3ST
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.19
Drain Current-Max (ID)
35 A
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
ATC 600S
尺寸/尺寸
0.063 L x 0.032 W (1.60mm x 0.81mm)
容差
±0.1pF
无铅代码
有
温度系数
C0G, NP0
端子表面处理
未说明
应用
RF, Microwave, High Frequency, Bypass, Decoupling
电容量
8.2 pF
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
COMMERCIAL
引线间距
-
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
引线样式
-
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
漏极-源极导通最大电阻
0.022 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
High Q, Low Loss, Ultra Low ESR
座位高度(最大)
-
厚度(最大)
0.035 (0.89mm)
评级结果
-
ISL9N322AS3ST拓展信息
ON Semiconductor
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