ISL9N322AS3ST
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ON Semiconductor ISL9N322AS3ST

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型号

ISL9N322AS3ST

utmel 编号

1807-ISL9N322AS3ST

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

0603 (1608 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-Ch MOSFET Logic Level

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ISL9N322AS3ST
ISL9N322AS3ST ON Semiconductor MOSFET N-Ch MOSFET Logic Level

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ISL9N322AS3ST详情

ON Semiconductor ISL9N322AS3ST重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    Surface Mount, MLCC

  • 包装/外壳

    0603 (1608 Metric)

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

  • 厂商

    American Technical Ceramics

  • Product Status

    活跃

  • Voltage Rated

    250V

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Manufacturer Part Number

    ISL9N322AS3ST

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.19

  • Drain Current-Max (ID)

    35 A

  • 操作温度

    -55°C ~ 125°C

  • 系列

    ATC 600S

  • 尺寸/尺寸

    0.063 L x 0.032 W (1.60mm x 0.81mm)

  • 容差

    ±0.1pF

  • 无铅代码

  • 温度系数

    C0G, NP0

  • 端子表面处理

    未说明

  • 应用

    RF, Microwave, High Frequency, Bypass, Decoupling

  • 电容量

    8.2 pF

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 引线间距

    -

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 引线样式

    -

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-263AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.022 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 特征

    High Q, Low Loss, Ultra Low ESR

  • 座位高度(最大)

    -

  • 厚度(最大)

    0.035 (0.89mm)

  • 评级结果

    -

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技术文档: ON Semiconductor ISL9N322AS3ST.

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