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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.280753
10
¥4.038445
100
¥3.809857
500
¥3.594201
1000
¥3.390761
ON Semiconductor J112-D27Z
- 收藏
- 对比
J112-D27Z
1807-J112-D27Z
晶体管 - JFET
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
大陆
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JFET N-CH 35V 625MW TO92
--最小包装量--
¥
总价: ¥
J112-D27Z详情
ON Semiconductor J112-D27Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
质量
201mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
电压 - 额定直流
35V
最大功率耗散
625mW
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
50mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
J112
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
DEPLETION MODE
功率耗散
625mW
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
35V
连续放电电流(ID)
5mA
栅极至源极电压(Vgs)
-35V
场效应管技术
JUNCTION
漏源电阻
50Ohm
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
5mA @ 15V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
1V @ 1μA
电阻-RDS(On)
50Ohm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
J112-D27Z拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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