ON SEMICONDUCTOR KSB1151

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE

极性/通道类型

PNP

JEDEC-95代码

TO-126

最大耗散功率(Abs)

20W

集电极电流-最大值(IC)

5A

最小直流增益（hFE）

50

集电极-发射器电压-最大值

60V

VCEsat-最大值

0.3 V

关断时间-最大值（toff)

3500ns

接通时间-最大值(ton)

1000ns

环境耗散-最大值

1.3W

最大下降时间 (tf)

1000ns