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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.138239
10
¥1.073811
100
¥1.013027
500
¥0.955684
1000
¥0.901589
ON Semiconductor KSR1102MTF
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- 对比
KSR1102MTF
1807-KSR1102MTF
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
--
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KSR1102MTF详情
ON Semiconductor KSR1102MTF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer
ABB
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
Manufacturer Part Number
KSR1102MTF
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.84
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
BIP 通用小信号
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
0.2 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
30
集电极-发射器电压-最大值
50 V
KSR1102MTF拓展信息
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