KSR1102MTF
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ON Semiconductor KSR1102MTF

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型号

KSR1102MTF

utmel 编号

1807-KSR1102MTF

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

- Bulk (Alt: KSR1102MTF)

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KSR1102MTF
KSR1102MTF ON Semiconductor - Bulk (Alt: KSR1102MTF)

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KSR1102MTF详情

ON Semiconductor KSR1102MTF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer

    ABB

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    250 MHz

  • Manufacturer Part Number

    KSR1102MTF

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

  • Risk Rank

    5.84

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 附加功能

    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

  • HTS代码

    8541.21.00.75

  • 子类别

    BIP 通用小信号

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.2 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    30

  • 集电极-发射器电压-最大值

    50 V

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技术文档: ON Semiconductor KSR1102MTF.

KSR1102MTF拓展信息

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BC856BDW1T1G
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BC847BPDW1T1G
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